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ME-210-T膜厚測量儀
ME-210-T膜厚測量儀為一種光學係膜厚測量裝置，這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜，也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技術，將不能變為可能，以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板，在這項技術下，可進行極薄膜的高精度測量，舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估，也可運用ME-210-T輕鬆達成。
ME-210-T膜厚測量儀適用透明基板的高速Mapping橢偏儀，可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布。
橢偏儀為一種光學係膜厚測量裝置，膜厚測量儀這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜，也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。
ME-210-T膜厚測量儀用了本公司*的偏光Senor 技術，將不能變為可能，以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板，在這項技術下，可進行極薄膜的高精度測量，舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估，也可運用ME-210-T輕鬆達成。
ME-210-T的高精度膜厚分布資料，定會對先進的薄膜產品的生產有的用途。
特點
1，高效的測量速度（每分約1000點：）可短時間內取得高密度的麵分布數據。
2，微小領域量測（20un左右）可簡單鎖定&測量任一微小區域。
3，可測量透明基板
適用於解析玻璃基板上的極薄膜。
測量實例
塗布膜邊緣擴大測量
可階段性擴大微小領域，然後獲得詳細的膜厚分布數據。
GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量
縮小膜厚顯示範圍，膜厚差距不大的樣品，也可以簡單評估、比較其分布狀況。
設備參數
項目 | 規格 |
光源 | 半導體激光（636nm、class2） |
小測量領域 | 廣域模式：0.5mm×0.5mm |
高精細模式：5.5um×5.5um | |
入射角 | 70『deg』 |
測量再現性 | 膜厚：0.1nm 折射率：0.001 ※1 |
大測量速度 | 1000point/min（廣域模式） |
5000point/min（高精密模式） | |
載物台 | 行程：XY200mm以上 大移動速度：約40mm/scc |
尺寸/重量 | 約650×650×1740mm（W×D×H）/約200kg |
電源 | AC100V |
備注 | ※1：此數值是以廣域模式測量SiO2膜（膜厚約100mm）其中一點，重複測量100次後的標準偏差值 |